RHEED相关论文
第三代半导体的蓬勃发展使得氮化镓（GaN）以其特殊的结构特性、电学特性以及光学特性成为当前研究的热点。近年来GaN基相关器件的发展......
The ZnO films were grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy(MBE)on the substrates of MgO(111)with an emphasis on ......
接口和表面物理是在在最近的十年的压缩的事物理以内的一个重要学科的分支。象氧化物电子的设备一样的新奇概念被推动，并且他们的性......
本文采用分子束外延(MBE)方法在BaF_2衬底上直接外延生长了CdTe(111)薄膜.反射高能电子衍射(RHEED)实时监控生长表面,衍射图样揭示......
我们用PLD方法在不同氧气分压下生长了Fe3O4薄膜,RHEED显示我们在不同氧分压下得到的Fe3O4薄膜都为准二维单晶结构,这优于一些......
在N2 气压为 2 6 7× 10 -2 Pa ,5 0 0℃的条件下 ,用MBE方法在GaAs(0 0 1)衬底上生长了InN的外延层。生长期间 ,In流量以 3× 10......
本文报道了在Si衬底上生长温度对InN薄膜晶体质鼍的影响。采用MBE法在不同的生长温度下制备了InN的缓冲层,通过XRD、XPS、RHEED等......
激光分子束外延是近几年才出现的一种高精密新型制膜技术．文章较系统地介绍了我国第一台激光分子束外延设备的计算机控制和反射式高......
Surface reconstructions and reflection high-energy electron diffraction intensity oscillations durin
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
本文采用MBE进行InAs/GaAs与InGaAs/GaAs量子点的生长,利用RHEED进行实时监测,并利用RHEED强度振荡测量生长速率。对生长的InAs/Ga......
在N2气压为2.67×10-2pa,500℃的条件下,用MBE方法在GaAs(001)衬底上生长了InN的外延层.生长期间,In流量以3×1014到24×1014atoms......
期刊
通过在自制的电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积 (ECR -PEMOCVD)系统上装配反射高能电子衍射仪 (RHEED) ,对外延GaN......
期刊
利用射频等离子体辅助分子束外延技术在蓝宝石衬底上外延了晶体质量较好的单晶InAlGaN薄膜.在生长InAlGaN外延层时,获得了外延膜的......
研究了不同生长温度对分子束外延设备在蓝宝石衬底上外延A1N薄膜时对薄膜样品晶体质量和表面形貌的影响。研究发现：随着生长温度的......
在超高真空分子束外延 (MBE)生长技术中 ,反射式高能电子衍射仪 (RHEED)能实时显示半导体和金属外延生长过程 ,给出薄膜表面结构和......
A Ga wetting layer was used to modify the surface structure of sapphire (0001) substrate to prepare high-quality ZnO fil......
在分子束外延(MBE)设备中,采用高温退火的方法在6H-SiC(0001)表面外延石墨烯,并研究了退火时间对外延石墨烯形貌和结构的影响.利用......
从原子级平坦的GaAs(001)-β2(2×4)重构表面出发,结合Reflection High Energy Electron Diffraction(RHEED)衍射图像演变和不......
通过简单叙述Ⅲ族GaN基氮化物薄膜,以及了解半导体薄膜生长系统的温度变化情况重要性,提出了基于双热电偶校准薄膜生长装置ECR-PEM......
通过简单叙述作为外延薄膜进行原位监测的一个重要手段的反射高能电子衍射（RHEED）以及RHEED图像的条纹或点阵与GaN基薄膜表面形貌的......
在分子束外延（MBE）中波HgCdTe薄膜过程中，利用反射式高能电子衍射（RHEED）对衬底表面脱氧和生长过程中生长参数对材料特性的影响进行研究......
阐述了利用型号为ＹＷＤ－１Ａ的扫描电子显微镜如何改造成高能电子反射衍射仪（ＲＨＥＥＤ）．利用该台高能电子反射衍射仪的衍射花样对ＣｄＺｎＴｅ，ＨｇＣｄＴｅ半导体材料的表面结构进......
采用分子束外延（MBE）方法在Ba F2（111）衬底上直接外延生长了Pb Te薄膜。反射高能电子衍射（RHEED）实时监控的衍射图样揭示了Pb Te在Ba F2（1......
利用等离子辅助分子束外延技术，在蓝宝石c-平面上外延生长了ZnO单晶薄膜。原位反射式高能电子衍射结果表明，在650℃时样品为平整的表......
利用反射高能电子衍射(RHEED),研究了在SrTiO3(100)基片上采用激光分子束外延法生长的[(Ba-TiO3)m/(SrTiO3)m]n超晶格薄膜的生长特......
在自行设计研制的先进的电子回旋共振（ECR）等离子体增强化学气相沉（PECVD）装置上，采用ECR-PECVD可控活化低温外延技术，以SiH4＋H2为气源，硅......
用PLD方法在Si（111）衬底上制备了ZnO薄膜．在薄膜的沉积过程中，用安装在激光脉冲沉积设备上的反射高能电子衍射仪（RHEED）对薄膜的生长进行......
本文综述在反射高能电子衍射仪中测量全反射角ｘ射线谱（简称ＲＨＥＥＤ－ＴＲＡＸＳ）的表面化学分析方法。对这种分析方法的基本原理、主要优点及应用作了概略......
论述了反射高能电子衍射（RHEED）作为外延薄膜进行原位监测的一个重要手段以及RHEED图像与外延薄膜的表面形貌的关系，提出了以RHEED图......
在改进的电子回旋共振（ECR）等离子体增强金属有机物化学汽相沉积（ECR-PEMOCVD）装置（ESPD-U）中，以氮等离子体为氮源，三乙基镓（TEG）为镓源，在蓝......
通过阐述外延薄膜进行原位监测的反射高能电子衍射（RHEED）以及RHEED图像的条纹或点阵与GaN基薄膜表面形貌的关系，提出了基于RHEED图像......
本文介绍了反射高能电子衍射的工作原理，并将其与低能电子衍射进行了比较，表明ＲＨＥＥＤ具有很多优越性。另外，综述了国内外有关利用ＲＨＥＥＤ进行表面科......
本文介绍了应用反射式高能电子衍射(RHEED)对Mn在GaAs(001)面上的分子束外延结果的实时观察分析,不仅给GaAs(001)清洁表面的衍射图......
利用反射式高能电子衍射(RHEED)在超高真空中对SrTiO3(100)、LaAlO3(100)、Si(100)单晶基片进行分析,讨论了衍射花样与晶体表面结......
采用带有RHEED的MBE技术,利用RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,通过RHEED强度振荡测算薄膜生长速率,在GaAs（001）基片上同质外延Ga......
本文根据在调试分子束外延（MBE）系统过程中，使用反射式高能电子衍射（RHEED）对GaAs样品实时监控得到的图片进行分析，从而总结出在MBE外延......
GaAs的高迁移率与其表面重构和表面形貌有密切关联,对于GaAs表面重构的研究一直是研究低维半导体的重点和难点。重点回顾了几十年......
通过分析RHEED(反射高能电子衍射)图像研究了ECR(电子回旋共振)等离子体所产生的活性氢源和氮源对蓝宝石衬底的清洗与氮化作用，结果......
用激光分子束外延研究了SrTiO3同质外延时原位退火中,反射高能电子衍射(RHEED)强度的恢复--驰豫时间,导出了高真空下表面扩散的活......
本文采用反射式高能电子衍射（RHED）监测脉冲激光沉积法制备钛酸铅薄膜过程。根据PbTi03／MgO（001）薄膜、PbTiO3／Si（100）薄膜生长过程中RHEED......
本文报道了单晶ZnSe、ZnTe和CdTe薄膜在Ge(100)衬底上的MBE生长,用RHEED观察了其生长规律,并对样品作了X光衍射及SIMS等测试分析。......
在讨论ＲＨＥＥＤ原理的基础上，介绍了组建的ＲＨＥＥＤ和其附属的真空系统，并用此装置得到了Ｓｉ薄膜的ＲＨＥＥＤ衍射花样。本文还对实验条件和实验结果进行了简单的分......
分析了在ECR-MOCVD装置上外延生长GaN单晶薄膜的工艺特点,在此基础上尝试了一种新的氮化方法处理衬底表面,并进行了一系列不同条件......
